型号: STP15810
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：110A(Tc) 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：4.2mΩ @ 55A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：250W(Tc) 类型：N沟道
制造商: ST(意法半导体)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 100V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 110A(Tc)
栅源极阈值电压: 4.5V @ 250uA
漏源导通电阻: 4.2mΩ @ 55A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 250W(Tc)
类型: N沟道
联系人：张小姐
Q Q:
联系人：曾小姐
Q Q:
联系人：董先生
电话：18098996457
Q Q:
联系人：朱小姐
电话：13652405995
Q Q:
联系人：蔡永记
电话：18617195508
Q Q:
联系人：李小姐
电话：13066809747
Q Q:
联系人：文小姐，米小姐，朱小姐
电话：13590238352
Q Q:
联系人：Henry廖
电话：13632606269
Q Q:
联系人：李
电话：13825208590
Q Q:
联系人：陈小勇
电话：15112380080
Q Q:
