型号: STP19N06L
功能描述: N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE LOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTOR
制造商: STMicroelectronics
晶体管极性: N-Channel
汲极/源极击穿电压: 60 V
闸/源击穿电压: +/- 15 V
漏极连续电流: 19 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）: 0.1 Ohms
配置: Single
最大工作温度: + 175 C
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220
下降时间: 95 ns
最小工作温度: - 65 C
功率耗散: 80 W
上升时间: 165 ns
工厂包装数量: 50
联系人：Alien
Q Q:
联系人：陈敏
电话：17302670049
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：曾小姐
Q Q:
联系人：许小姐
电话：18118747668
Q Q:
联系人：彭小姐
电话：135-7521-2775-------Q-微-恭-候-----有-问-秒-回
Q Q:
联系人：彭小姐
电话：135-7521-2775-------Q-微-恭-候-----有-问-秒-回
Q Q:
联系人：王敏斌
电话：13723486584
Q Q:
联系人：赵先生
电话：13798575788
Q Q:
联系人：林先生
电话：13662647789
Q Q:
