型号: STP20N60M2-EP
功能描述:
制造商: STMicroelectronics
FET 类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 13A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V
功率耗散（最大值）： 110W（Tc）
安装类型： 通孔
供应商器件封装： TO-220
封装/外壳： TO-220-3
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：陈敏
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