型号:  STP28N60M2

功能描述:  Single N-Channel 650 V 0.15 O 190 W Flange Mount Power Mosfet - TO-220-3

制造商:  STMicroelectronics

系列：  MDmesh™ II Plus

FET类型：  N 沟道

技术：  MOSFET（金属氧化物）

DraintoSourceVoltage(Vdss)：  600V

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：  24A（Tc）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：  10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：  4V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  37nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：  1370pF @ 100V

Vgs（最大值）：  ±25V

功率耗散（最大值）：  170W（Tc）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：  150 毫欧 @ 12A，10V

工作温度：  -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：  通孔

封装/外壳：  TO-220-3

封装形式Package：  TO-220

极性Polarity：  N-CH

漏源极击穿电压VDSS：  650V

连续漏极电流ID：  22A

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs