STP360N4F6规格参数_STP360N4F6全国代理商/分销商

型号: STP360N4F6
功能描述: Single N-Channel 40 V 360 W 120 A 1.8 mO Flange Mount Power MosFet - TO-220-3
制造商: STMicroelectronics
系列： DeepGATE™，STripFET™ VI
FET类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
电流-连续漏极（Id）（25°C时）： 120A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）： 10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）： 4.5V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（最大值）： 340nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）： 17930pF @ 25V
Vgs（最大值）： ±20V
功率耗散（最大值）： 300W（Tc）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）： 1.8 毫欧 @ 60A，10V
工作温度： -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：通孔
封装/外壳： TO-220-3
封装形式Package： TO-220
极性Polarity： N-CH
漏源极击穿电压VDSS： 40V
连续漏极电流ID： 120A
无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs