型号:  STP3N80K5

功能描述:  

制造商:  STMicroelectronics

系列：  SuperMESH5™

FET类型：  N 沟道

技术：  MOSFET（金属氧化物）

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：  2.5A（Tc）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：  10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：  5V @ 100µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  9.5nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：  130pF @ 100V

Vgs（最大值）：  30V

功率耗散（最大值）：  60W（Tc）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：  3.5 欧姆 @ 1A，10V

工作温度：  -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：  通孔

封装/外壳：  TO-220-3

封装形式Package：  TO-220

极性Polarity：  N-CH

漏源极击穿电压VDSS：  800V

连续漏极电流ID：  2.5A

RoHS：  符合 RoHS

最高工作温度：  + 150 C

60 W：  Pd - 功率消耗

安装风格：  Through Hole

品牌：  STMicroelectronics

下降时间：  25 ns

最低工作温度：  - 55 C

上升时间：  7.5 ns

晶体管极性：  N-Channel

标准包装数量：  50

标准断开延迟时间：  20.5 ns

Vds - 漏-源击穿电压：  800 V

Vgs - 闸极-源极击穿电压：  30 V

Id - C连续漏极电流：  2.5 A

Rds On - 漏-源电阻：  2.8 0hms

配置：  Single

Vgs th - 门源门限电压：  4 V

9.5 nC：  Qg - 闸极充电

无铅情况/RoHs：  否