型号: STP4NA80
功能描述: N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR
制造商: STMicroelectronics
晶体管极性: N-Channel
汲极/源极击穿电压: 800 V
闸/源击穿电压: +/- 30 V
漏极连续电流: 4 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）: 2.4 Ohms
配置: Single
最大工作温度: + 150 C
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220
正向跨导 gFS（最大值/最小值）: 4.3 S
最小工作温度: - 65 C
功率耗散: 110 W
上升时间: 70 ns
工厂包装数量: 50
联系人：肖瑶，树平
电话：13926529829
Q Q:
联系人：蔡经理，张小姐
电话：13378422395
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：李小姐
电话：15302619915
Q Q:
联系人：陈敏
电话：17302670049
Q Q:
联系人：彭先生，许娜
电话：19068068798
Q Q:
联系人：彭小姐
电话：135-7521-2775-------Q-微-恭-候-----有-问-秒-回
Q Q:
联系人：邓佳
电话：15217037468
Q Q:
联系人：陈济宜
电话：19907205978
Q Q:
联系人：黄先生
电话：13502815984
Q Q:
