型号: STP4NA80
功能描述: N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR
制造商: STMicroelectronics
晶体管极性: N-Channel
汲极/源极击穿电压: 800 V
闸/源击穿电压: +/- 30 V
漏极连续电流: 4 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）: 2.4 Ohms
配置: Single
最大工作温度: + 150 C
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220
正向跨导 gFS（最大值/最小值）: 4.3 S
最小工作温度: - 65 C
功率耗散: 110 W
上升时间: 70 ns
工厂包装数量: 50
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