型号: STP50N65DM6
功能描述: N-CHANNEL 650 V, 74 MOHM TYP., 3
制造商: STMicroelectronics
包装: 管件
系列: MDmesh™
零件状态: 有源
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 650V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 33A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）: 91 毫欧 @ 16.5A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 4.75V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）: 52.5nC @ 10V
Vgs（最大值）: ±25V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）: 2300pF @ 100V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 250W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-220
封装/外壳: TO-220-3
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