型号: STP5NA50
功能描述: N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR
制造商: STMicroelectronics
晶体管极性: N-Channel
汲极/源极击穿电压: 500 V
闸/源击穿电压: +/- 30 V
漏极连续电流: 5 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）: 1.6 Ohms
配置: Single
最大工作温度: + 150 C
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220
下降时间: 12 ns
最小工作温度: - 65 C
功率耗散: 100 W
上升时间: 30 ns
工厂包装数量: 50
联系人：陈敏
电话：17302670049
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：13926529829
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：蔡经理，张小姐
电话：13378422395
Q Q:
联系人：曾小姐
Q Q:
联系人：彭小姐
电话：135-7521-2775-------Q-微-恭-候-----有-问-秒-回
Q Q:
联系人：韩雪
电话：18124047120
Q Q:
联系人：陈传城
电话：13528411877
Q Q:
联系人：陈晓斌
电话：15220450004
Q Q:
联系人：周永萍
电话：13631562507
Q Q:
