型号: STP60NH2LL
功能描述:
制造商: STMicroelectronics
FET 类型: N 沟道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 24V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 40A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 27nC @ 4.5V
Vgs（最大值）: ±18V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）: 990pF @ 25V
功率耗散（最大值）: 60W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）: 11 毫欧 @ 20A，10V
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-220AB
封装/外壳: TO-220-3
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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