型号: STP6NK50Z
功能描述: N-Channel 500 V 1.2 Ohm Zener-Protected SuperMESH™ MOSFET - TO-220
制造商: STMicroelectronics
系列: SuperMESH™
FET类型: N 沟道
技术: MOSFET(金属氧化物)
电流-连续漏极(Id)(25°C时): 5.6A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn): 10V
不同Id时的Vgs(th)(最大值): 4.5V @ 50µA
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值): 24.6nC @ 10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值): 690pF @ 25V
Vgs(最大值): ±30V
功率耗散(最大值): 90W(Tc)
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值): 1.2 欧姆 @ 2.8A,10V
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-3
封装形式Package: TO-220
极性Polarity: N-CH
漏源极击穿电压VDSS: 500V
连续漏极电流ID: 5.6A
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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