型号: STP7N80K5
功能描述: MOSFET N-Ch 800V .95Ohm 6A MDmesh K5
制造商: STMicroelectronics
制造商: STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 800 V
Id-连续漏极电流: 6 A
Rds On-漏源导通电阻: 1.2 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压: 4 V
Vgs - 栅极-源极电压: 30 V
Qg-栅极电荷: 13.4 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 110 W
商标名: MDmesh
封装: Tube
系列: STP7N80K5
商标: STMicroelectronics
下降时间: 20.2 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 8.3 ns
工厂包装数量: 1000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 11.3 ns
典型接通延迟时间: 23.7 ns
单位重量: 330 mg
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