型号: STP80N20M5
功能描述: STMicroelectronics/分立半导体产品
制造商: STMicroelectronics
其它有关文件： STP80N20M5 View All Specifications
产品培训模块： 5th Generation High Voltage Mosfet Technology
标准包装： 50
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 单
系列： MDmesh? V
包装： 管件
FET 类型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能： 标准
漏源极电压（Vdss）： 200V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 61A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 23 毫欧 @ 30.5A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 104nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 4329pF @ 50V
功率 - 最大值： 190W
安装类型： 通孔
封装/外壳： TO-220-3
供应商器件封装： TO-220AB
其它名称： 497-10715-5
联系人：Alien
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
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联系人：陈晓玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：余先生，张先生
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联系人：周煜
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联系人：丁皓鹏
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Q Q:
