型号:  STP80NF55

功能描述:  MOSFET POWER MOSFET

制造商:  STMicroelectronics

制造商:  STMicroelectronics

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  Through Hole

封装 / 箱体:  TO-220-3

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  55 V

Id-连续漏极电流:  80 A

Rds On-漏源导通电阻:  5 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  2 V

Vgs - 栅极-源极电压:  20 V

Qg-栅极电荷:  189 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 175 C

Pd-功率耗散:  300 W

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

封装:  Tube

高度:  15.75 mm

长度:  10.4 mm

系列:  STB80NF55, STP80NF55

晶体管类型:  1 N-Channel

宽度:  4.6 mm

商标:  STMicroelectronics

正向跨导 - 最小值:  150 S

下降时间:  65 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  155 ns

工厂包装数量:  1000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  125 ns

典型接通延迟时间:  27 ns

单位重量:  330 mg