型号: STP80NF55
功能描述: MOSFET POWER MOSFET
制造商: STMicroelectronics
制造商: STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 55 V
Id-连续漏极电流: 80 A
Rds On-漏源导通电阻: 5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Qg-栅极电荷: 189 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 300 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
封装: Tube
高度: 15.75 mm
长度: 10.4 mm
系列: STB80NF55, STP80NF55
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 4.6 mm
商标: STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值: 150 S
下降时间: 65 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 155 ns
工厂包装数量: 1000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 125 ns
典型接通延迟时间: 27 ns
单位重量: 330 mg
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