型号: STP8N65M5
功能描述: STMicroelectronics/分立半导体产品
制造商: STMicroelectronics
其它有关文件： STP8N65M5 View All Specifications
产品培训模块： 5th Generation High Voltage Mosfet Technology
标准包装： 50
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 单
系列： MDmesh? V
包装： 管件
FET 类型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能： 标准
漏源极电压（Vdss）： 650V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 7A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 600 毫欧 @ 3.5A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 15nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 690pF @ 100V
功率 - 最大值： 70W
安装类型： 通孔
封装/外壳： TO-220-3 成形引线
供应商器件封装： TO-220-3
其它名称： 497-10885-5
联系人：韩雪
电话：18124047120
Q Q:
联系人：董先生
电话：18098996457
Q Q:
联系人：董先生
电话：18098996457
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：13926529829
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：陈晓玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：魏小凡
Q Q:
联系人：姚小姐
电话：17718930235
Q Q:
联系人：蔡生
电话：18682209020
Q Q:
