型号: STP9N60M2
功能描述: N-channel 600 V 5.5 A 0.78 Ohm Flange Mount Power MOSFET - TO-220-3
制造商: STMicroelectronics
系列: MDmesh™ II Plus
FET类型: N 沟道
技术: MOSFET(金属氧化物)
电流-连续漏极(Id)(25°C时): 5.5A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn): 10V
不同Id时的Vgs(th)(最大值): 4V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值): 10nC @ 10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值): 320pF @ 100V
Vgs(最大值): ±25V
功率耗散(最大值): 60W(Tc)
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值): 780 毫欧 @ 3A,10V
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-3
封装形式Package: TO-220
极性Polarity: N-CH
漏源极击穿电压VDSS: 600V
连续漏极电流ID: 5.5A
RoHS: 符合 RoHS
最高工作温度: + 150 C
60 W: Pd - 功率消耗
安装风格: Through Hole
品牌: STMicroelectronics
下降时间: 13.5 ns
最低工作温度: - 55 C
上升时间: 7.5 ns
晶体管极性: N-Channel
标准包装数量: 50
标准断开延迟时间: 22 ns
Vds - 漏-源击穿电压: 650 V
Vgs - 闸极-源极击穿电压: 25 V
Id - C连续漏极电流: 5.5 A
Rds On - 漏-源电阻: 780 m0hms
配置: Single
Vgs th - 门源门限电压: 3 V
10 nC: Qg - 闸极充电
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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