STP9NM60N规格参数_STP9NM60N全国代理商/分销商

型号: STP9NM60N
功能描述: Single N-Channel 600 V 0.7 Ohm 17.4 nC 70 W MDmesh™ II Power MOSFET -TO-220-3
制造商: STMicroelectronics
系列： MDmesh™ II
FET类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
电流-连续漏极（Id）（25°C时）： 6.5A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）： 10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）： 4V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（最大值）： 17.4nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）： 452pF @ 50V
Vgs（最大值）： ±25V
功率耗散（最大值）： 70W（Tc）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）： 745 毫欧 @ 3.25A，10V
工作温度： 150°C（TJ）
安装类型：通孔
封装/外壳： TO-220-3
封装形式Package： TO-220
极性Polarity： N-CH
漏源极击穿电压VDSS： 600V
连续漏极电流ID： 6.5A
无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs