型号: STQ2LN60K3-AP
功能描述: MOSFET N-Ch 600V 4 Ohm 0.6A SuperMESH3 FET TO92
制造商: STMicroelectronics
制造商: STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-92-3
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 600 V
Id-连续漏极电流: 600 mA
Rds On-漏源导通电阻: 4.5 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压: 4.5 V
Vgs - 栅极-源极电压: 30 V
Qg-栅极电荷: 12 nC
Pd-功率耗散: 2.5 W
通道模式: Enhancement
商标名: MDmesh
封装: Ammo Pack
系列: STQ2LN60K3-AP
商标: STMicroelectronics
下降时间: 21 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 8.5 ns
工厂包装数量: 2000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 23.5 ns
典型接通延迟时间: 10 ns
单位重量: 220 mg
联系人：Alien
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：刘先生
电话：18390902447
Q Q:
联系人：陈敏
电话：17302670049
Q Q:
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：朱小姐
电话：13725570869
Q Q:
联系人：庄小姐
Q Q:
联系人：郑生
电话：15626561389
Q Q:
联系人：尹友亮
电话：18617042732
Q Q:
