型号:  STR2N2VH5

功能描述:  N-Channel 20 V 0.03 Ohm 0.35 W SMT Power Mosfet - SOT-23-3

制造商:  STMicroelectronics

系列：  STripFET™ V

FET类型：  N 沟道

技术：  MOSFET（金属氧化物）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：  2.5V，4.5V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：  700mV @ 250µA（最小）

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  4.6nC @ 4.5V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：  367pF @ 16V

Vgs（最大值）：  ±8V

功率耗散（最大值）：  350mW（Tc）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：  30 毫欧 @ 2A，4.5V

工作温度：  -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：  表面贴装

封装/外壳：  TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

封装形式Package：  SOT-23

极性Polarity：  N-CH

漏源极击穿电压VDSS：  20V

连续漏极电流ID：  2.3A

RoHS：  符合 RoHS

最高工作温度：  + 150 C

350 mW：  Pd - 功率消耗

安装风格：  SMD/SMT

品牌：  STMicroelectronics

最低工作温度：  - 55 C

标准包装数量：  3000

晶体管极性：  N-Channel

Vds - 漏-源击穿电压：  20 V

Vgs - 闸极-源极击穿电压：  8 V

Id - C连续漏极电流：  2.3 A

Rds On - 漏-源电阻：  30 m0hms

配置：  Single

Vgs th - 门源门限电压：  0.7 V

6 nC：  Qg - 闸极充电

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs