STS10N3LH5规格参数_STS10N3LH5全国代理商/分销商

型号: STS10N3LH5
功能描述: STS10N3LH5 Series 10 V 10 A 21 mOhm N-Ch STripFET™ V Power Mosfet - SOIC-8
制造商: STMicroelectronics
系列： STripFET™ V
FET类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
电流-连续漏极（Id）（25°C时）： 10A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）： 4.5V，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）： 1V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（最大值）： 4.6nC @ 5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）： 475pF @ 25V
Vgs（最大值）： ±22V
功率耗散（最大值）： 2.5W（Tc）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）： 21 毫欧 @ 5A，10V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
封装/外壳： 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
封装形式Package： SO
极性Polarity： N-CH
漏源极击穿电压VDSS： 30V
连续漏极电流ID： 10A
无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs