型号: STS13N3LLH5
功能描述: N-Channel 30 V 6.6 mO SMT STripFET™ V Power Mosfet - SOIC-8
制造商: STMicroelectronics
系列： STripFET™ V
FET类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
电流-连续漏极（Id）（25°C时）： 13A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）： 4.5V，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）： 1V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 12nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）： 1500pF @ 25V
Vgs（最大值）： +22V，-20V
功率耗散（最大值）： 2.7W（Tc）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）： 6.6 毫欧 @ 6.5A，10V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
封装形式Package： SO
极性Polarity： N-CH
漏源极击穿电压VDSS： 30V
连续漏极电流ID： 13A
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：胡小姐
电话：13724343501
Q Q:
联系人：陈敏
电话：17302670049
Q Q:
联系人：连
电话：18922805453
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：13926529829
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：李先生
电话：18822854608
Q Q:
联系人：陈晓玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：李小姐
电话：13424246946
Q Q:
联系人：吴先生
电话：13554918840
Q Q:
联系人：伍灿生
电话：13410505652
Q Q:
