型号: STS1HNK60
功能描述:
制造商: STMicroelectronics
FET 类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 300mA（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 3.7V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 10nC @ 10V
Vgs（最大值）： ±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 156pF @ 25V
功率耗散（最大值）： 2W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 8.5 欧姆 @ 500mA，10V
工作温度： -65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
供应商器件封装： 8-SO
封装/外壳： 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：陈敏
电话：17302670049
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：13926529829
Q Q:
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：赵
电话：13425145860
Q Q:
联系人：朱先生，汪小姐
Q Q:
联系人：陈奇彬
电话：13590342264
Q Q:
