型号: STS3P6F6
功能描述:
制造商: STMicroelectronics
系列： DeepGATE™，STripFET™ VI
FET类型： P 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）： 10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）： 4V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 6.4nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）： 340pF @ 48V
Vgs（最大值）： ±20V
功率耗散（最大值）： 2.7W（Tc）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）： 160 毫欧 @ 1.5A，10V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
封装形式Package： SO
极性Polarity： P-CH
漏源极击穿电压VDSS： 60V
连续漏极电流ID： 3A
无铅情况/RoHs： 否
联系人：郭小姐
电话：15818715186
Q Q:
联系人：蔡经理，张小姐
电话：13378422395
Q Q:
联系人：陈敏
电话：17302670049
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：13926529829
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：陈晓玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：伍灿生
电话：13410505652
Q Q:
联系人：陈先生
Q Q:
联系人：陈诚
电话：13319535224
Q Q:
