型号:  STS4DNF60L

功能描述:  MOSFET N-Ch 60 Volt 4 Amp

制造商:  STMicroelectronics

制造商:  STMicroelectronics

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  SO-8

通道数量:  2 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  60 V

Id-连续漏极电流:  4 A

Rds On-漏源导通电阻:  55 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  1 V

Vgs - 栅极-源极电压:  10 V

Qg-栅极电荷:  15 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  2 W

配置:  Dual

通道模式:  Enhancement

商标名:  STripFET

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

高度:  1.65 mm

长度:  5 mm

系列:  STS4DNF60L

晶体管类型:  2 N-Channel Power MOSFET

类型:  Power MOSFET

宽度:  4 mm

商标:  STMicroelectronics

正向跨导 - 最小值:  25 S

下降时间:  10 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  28 ns

工厂包装数量:  2500

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  45 ns

典型接通延迟时间:  15 ns

单位重量:  85 mg