型号: STS5PF30L
功能描述: P-Channel 30 V 55 mOhm Surface Mount STripFET™ Power MOSFET - SOIC-8
制造商: STMicroelectronics
系列: STripFET™
FET类型: P 沟道
技术: MOSFET(金属氧化物)
电流-连续漏极(Id)(25°C时): 5A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn): 4.5V,10V
不同Id时的Vgs(th)(最大值): 2.5V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值): 16nC @ 5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值): 1350pF @ 25V
Vgs(最大值): ±16V
功率耗散(最大值): 2.5W(Tc)
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值): 55 毫欧 @ 2.5A,10V
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
封装形式Package: SO
极性Polarity: P-CH
漏源极击穿电压VDSS: 30V
连续漏极电流ID: 5A
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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