型号: STS7P4LLF6
功能描述:
制造商: STMicroelectronics
FET 类型： P 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 40V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 1V @ 250µA（最小）
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 22nC @ 4.5V
Vgs（最大值）： ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 2850pF @ 25V
功率耗散（最大值）： 2.7W（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 20.5 毫欧 @ 3.5A，10V
工作温度： 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
供应商器件封装： 8-SO
封装/外壳： 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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