型号:  STS8DN6LF6AG

功能描述:  MOSFET Automotive-grade dual N-channel 60 V, 21 mOhm typ., 8 A STripFET F6 Power MOSFET in a SO-8 package

制造商:  STMicroelectronics

制造商:  STMicroelectronics

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  SO-8

通道数量:  2 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  60 V

Id-连续漏极电流:  8 A

Rds On-漏源导通电阻:  21 mOhms, 21 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  1 V

Vgs - 栅极-源极电压:  20 V

Qg-栅极电荷:  27 nC, 27 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 175 C

Pd-功率耗散:  3.2 W

配置:  Dual

通道模式:  Enhancement

资格:  AEC-Q101

商标名:  STripFET

系列:  STS8DN6LF6AG

晶体管类型:  2 N-Channel

商标:  STMicroelectronics

下降时间:  7 ns, 7 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  20 ns, 20 ns

工厂包装数量:  2500

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  56 ns, 56 ns

典型接通延迟时间:  9.6 ns, 9.6 ns