型号: STS9P2UH7
功能描述: P-Channel 20 V 0.0225 O 2.7 W SMT STripFET H7 Power Mosfet - SOIC-8
制造商: STMicroelectronics
系列： STripFET™
FET类型： P 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
电流-连续漏极（Id）（25°C时）： 9A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）： 1.5V，4.5V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）： 1V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 22nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）： 2390pF @ 16V
Vgs（最大值）： ±8V
功率耗散（最大值）： 2.7W（Tc）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）： 22.5 毫欧 @ 4.5A，4.5V
工作温度： 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
封装形式Package： SO
极性Polarity： P-CH
漏源极击穿电压VDSS： 20V
连续漏极电流ID： 9A
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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