型号: STSJ60NH3LL
功能描述: N-Channel 30 V 0.0057 Ohm STripFET™ Power MOSFET - POWERSO-8
制造商: STMicroelectronics
系列： STripFET™
FET类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
电流-连续漏极（Id）（25°C时）： 60A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）： 4.5V，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）： 1V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 24nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）： 1810pF @ 25V
Vgs（最大值）： ±16V
功率耗散（最大值）： 3W（Ta），50W（Tc）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）： 5.7 毫欧 @ 7.5A，10V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）裸露焊盘
封装形式Package： PowerSO
极性Polarity： N-CH
漏源极击穿电压VDSS： 30V
连续漏极电流ID： 60A
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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