型号: STT7P2UH7
功能描述:
制造商: STMicroelectronics
系列： STripFET™
FET类型： P 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 20V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）： 7A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）： 1.5V，4.5V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）： 1V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 22nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）： 2390pF @ 16V
Vgs（最大值）： ±8V
功率耗散（最大值）： 1.6W（Tc）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）： 22.5 毫欧 @ 3.5A，4.5V
工作温度： 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： SOT-23-6
封装形式Package： SOT-23
极性Polarity： P-CH
漏源极击穿电压VDSS： 30V
连续漏极电流ID： 7A
无铅情况/RoHs： 否
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