型号: STU10P6F6
功能描述: P-Channel 60 V 160 mO 6.4 nC Through Hole STripFET™ F6 Mosfet - IPAK
制造商: STMicroelectronics
系列： DeepGATE™，STripFET™ VI
FET类型： P 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
电流-连续漏极（Id）（25°C时）： 10A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）： 10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）： 4V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 6.4nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）： 340pF @ 48V
Vgs（最大值）： ±20V
功率耗散（最大值）： 35W（Tc）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）： 160 毫欧 @ 5A，10V
工作温度： 175°C（TJ）
安装类型： 通孔
封装/外壳： TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
封装形式Package： IPAK
极性Polarity： P-CH
漏源极击穿电压VDSS： 60V
连续漏极电流ID： 10A
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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