型号:  STU4N52K3

功能描述:  

制造商:  STMicroelectronics

封装/外壳：  TO-220

封装/外壳：  Tube

下降时间：  14 ns

栅极电荷 Qg：  11 nC

最小工作温度：  - 55 C

功率耗散：  45 W

上升时间：  7 ns

典型关闭延迟时间：  21 ns

晶体管极性：  N-Channel

汲极/源极击穿电压：  525 V

闸/源击穿电压：  ± 30 V

漏极连续电流：  2.5 A

电阻汲极/源极 RDS（导通）：  2.6 0hms

配置：  Single

最大工作温度：  + 150 C

安装风格：  Through Hole

FET 类型：  N 沟道

技术：  MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：  525V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：  2.5A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：  10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：  4.5V @ 50µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  11nC

Vgs（最大值）：  ±30V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：  334pF

电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds：  100V

功率耗散（最大值）：  45W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：  2.6 欧姆 @ 1.25A，10V

工作温度：  150°C（TJ）

安装类型：  通孔

供应商器件封装：  I-PAK

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs