型号: STU6N65M2-S
功能描述: MOSFET
制造商: STMicroelectronics
制造商: STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: IPAK-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 650 V
Id-连续漏极电流: 2.5 A
Rds On-漏源导通电阻: 1.35 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V
Vgs - 栅极-源极电压: 10 V
Qg-栅极电荷: 9.8 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 60 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
系列: STU6N65M2
晶体管类型: 1 N Channel
商标: STMicroelectronics
下降时间: 20 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 7 ns
工厂包装数量: 3000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 6.5 ns
典型接通延迟时间: 19 ns
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