型号:  STU9HN65M2

功能描述:  MOSFET N-channel 650 V, 0.71 Ohm typ., 5.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package

制造商:  STMicroelectronics

制造商:  STMicroelectronics

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  Through Hole

封装 / 箱体:  TO-251-3

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  600 V

Id-连续漏极电流:  5.5 A

Rds On-漏源导通电阻:  820 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  4 V

Vgs - 栅极-源极电压:  25 V

Qg-栅极电荷:  11.5 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  60 W

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

商标名:  MDmesh

高度:  2.4 mm

长度:  16.1 mm

产品:  Power MOSFET

系列:  STU9HN65M2

晶体管类型:  1 N-Channel

类型:  MDmesh M2

宽度:  6.6 mm

商标:  STMicroelectronics

下降时间:  14.5 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  4.6 ns

工厂包装数量:  3000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  24 ns

典型接通延迟时间:  7.5 ns

单位重量:  1.438 g