型号: STW12N120K5
功能描述: Single N-Channel 1200 V 250 W 44.2 nC Silicon Through Hole Mosfet - TO-247-3
制造商: STMicroelectronics
系列: MDmesh™ K5
FET类型: N 沟道
技术: MOSFET(金属氧化物)
电流-连续漏极(Id)(25°C时): 12A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn): 10V
不同Id时的Vgs(th)(最大值): 5V @ 100µA
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值): 44.2nC @ 10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值): 1370pF @ 100V
Vgs(最大值): ±30V
功率耗散(最大值): 250W(Tc)
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值): 690 毫欧 @ 6A,10V
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-247-3
封装形式Package: TO-247
极性Polarity: N-CH
漏源极击穿电压VDSS: 1200V
连续漏极电流ID: 12A
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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