型号: STW15N80K5
功能描述:
制造商: STMicroelectronics
系列： SuperMESH5™
FET类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
电流-连续漏极（Id）（25°C时）： 14A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）： 10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）： 5V @ 100µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 32nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）： 1100pF @ 100V
Vgs（最大值）： ±30V
功率耗散（最大值）： 190W（Tc）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）： 375 毫欧 @ 7A，10V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 通孔
封装/外壳： TO-247-3
封装形式Package： TO-247
极性Polarity： N-CH
漏源极击穿电压VDSS： 800V
连续漏极电流ID： 14A
无铅情况/RoHs： 否
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：欧阳小姐，elen
电话：18664962775
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：蔡经理，张小姐
电话：13378422395
Q Q:
联系人：陈敏
电话：17302670049
Q Q:
联系人：陈欣
电话：13725554160
Q Q:
联系人：王文盛
电话：17097237283
Q Q:
联系人：曾先生
电话：15814611016
Q Q:
联系人：王S
电话：18833053628
Q Q:
