型号: STW19NM65N
功能描述: N-Channel 650 V 0.27 Ohm Flange Mount MDmesh Power Mosfet - TO-247
制造商: STMicroelectronics
系列: MDmesh™ II
FET类型: N 沟道
技术: MOSFET（金属氧化物）
电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 15.5A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 4V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 55nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 1900pF @ 50V
Vgs（最大值）: ±25V
功率耗散（最大值）: 150W（Tc）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 270 毫欧 @ 7.75A，10V
工作温度: 150°C（TJ）
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-247-3
封装形式Package: TO-247
极性Polarity: N-CH
漏源极击穿电压VDSS: 650V
连续漏极电流ID: 15.5A
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
联系人：杨晓芳
电话：13430590551
Q Q:
联系人：陈敏
电话：17302670049
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：陈玲玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：高先生
Q Q:
联系人：钟先生
电话：13651452793
Q Q:
联系人：曾先生
Q Q:
