型号: STW20NM65N
功能描述:
制造商: STMicroelectronics
FET 类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 650V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 19A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 70nC @ 10V
Vgs（最大值）： ±25V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 2500pF @ 50V
功率耗散（最大值）： 160W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 190 毫欧 @ 9.5A，10V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 通孔
供应商器件封装： TO-247-3
封装/外壳： TO-247-3
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：陈玲玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：杨晓芳
电话：13430590551
Q Q:
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话
电话：13480875861
Q Q:
联系人：唐女士
电话：19902921979
Q Q:
联系人：曾先生
电话：13242990037
Q Q:
联系人：王先生
电话：15914106549
Q Q:
