型号: STW28N65M2
功能描述: MOSFET N-channel 650 V, 0.15 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-247 package
制造商: STMicroelectronics
制造商: STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 650 V
Id-连续漏极电流: 20 A
Rds On-漏源导通电阻: 180 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V
Vgs - 栅极-源极电压: 10 V
Qg-栅极电荷: 35 nC
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 170 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商标名: MDmesh
封装: Tube
系列: STW28N65M2
晶体管类型: 1 N-Channel Power MOSFET
商标: STMicroelectronics
下降时间: 8.8 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 10 ns
工厂包装数量: 600
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 59 ns
典型接通延迟时间: 13.4 ns
单位重量: 38 g
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