型号: STW40N60M2-4
功能描述:
制造商: STMicroelectronics
FET 类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 34A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 57nC @ 10V
Vgs（最大值）： ±25V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 2500pF @ 100V
功率耗散（最大值）： 250W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 88 毫欧 @ 17A，10V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 通孔
供应商器件封装： TO-247-3
封装/外壳： TO-247-3
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：赵伟滨
电话：19926488141
Q Q:
联系人：赵军
电话：18682318008
Q Q:
联系人：陈欣
电话：13725554160
Q Q:
联系人：蔡永记
电话：18617195508
Q Q:
联系人：胡小姐
电话：13724343501
Q Q:
联系人：陈敏
电话：17302670049
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：王淑霞
电话：13564071190
Q Q:
联系人：吴
电话：13528813977
Q Q:
联系人：朱浩鸿
电话：17318011752
Q Q:
