型号:  STW47NM60ND

功能描述:  MOSFET N-Ch 600V 0.075 Ohm 35A FDmesh II

制造商:  STMicroelectronics

制造商:  STMicroelectronics

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  Through Hole

封装 / 箱体:  TO-247-3

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  600 V

Id-连续漏极电流:  35 A

Rds On-漏源导通电阻:  88 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:  25 V

Qg-栅极电荷:  145 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  255 W

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

资格:  AEC-Q101

封装:  Tube

系列:  STW47NM60ND

晶体管类型:  1 N-Channel

商标:  STMicroelectronics

正向跨导 - 最小值:  17 S

下降时间:  50 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  40 ns

工厂包装数量:  600

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  120 ns

典型接通延迟时间:  30 ns

单位重量:  38 g