型号: STW4N150
功能描述: MOSFET N-channel 1500 V PowerMesh
制造商: STMicroelectronics
制造商: STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 1.5 kV
Id-连续漏极电流: 4 A
Rds On-漏源导通电阻: 7 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
Vgs - 栅极-源极电压: 10 V
Qg-栅极电荷: 30 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 160 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商标名: PowerMESH
封装: Tube
高度: 20.15 mm
长度: 15.75 mm
系列: STW4N150
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 5.15 mm
商标: STMicroelectronics
下降时间: 45 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 30 ns
工厂包装数量: 600
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 45 ns
典型接通延迟时间: 35 ns
单位重量: 38 g
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