型号: STW50N65DM2AG
功能描述: MOSFET Automotive-grade N-channel 650 V, 0.070 Ohm typ., 38 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 package
制造商: STMicroelectronics
制造商: STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 650 V
Id-连续漏极电流: 38 A
Rds On-漏源导通电阻: 87 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 4 V
Vgs - 栅极-源极电压: 25 V
Qg-栅极电荷: 70 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 300 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
资格: AEC-Q101
商标名: MDmesh
高度: 5.15 mm
长度: 20.15 mm
产品: Power MOSFET
系列: STW50N65DM2AG
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: High Voltage
宽度: 15.75 mm
商标: STMicroelectronics
下降时间: 10.5 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 21 ns
工厂包装数量: 600
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 89 ns
典型接通延迟时间: 22.5 ns
单位重量: 38 g
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