型号: STW55NM60ND
功能描述: MOSFET N-channel 600 V FDMesh
制造商: STMicroelectronics
制造商: STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 600 V
Id-连续漏极电流: 51 A
Rds On-漏源导通电阻: 60 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 25 V
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 350 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
封装: Tube
高度: 20.15 mm
长度: 15.75 mm
系列: STW55NM60ND
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 5.15 mm
商标: STMicroelectronics
下降时间: 96 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 68 ns
工厂包装数量: 600
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 188 ns
典型接通延迟时间: 33 ns
单位重量: 38 g
联系人:肖瑶,树平
电话:17318082080
联系人:颜小姐
电话:13380394549
联系人:Alien
联系人:蔡小姐
电话:18129819897
联系人:陈梦,李丽
联系人:蔡经理,张小姐
电话:13378422395
联系人:陈敏
电话:17302670049
联系人:朱
电话:18718681541
联系人:李
电话:18927449101
联系人:王R
电话:13828777600
Q Q: