型号:  STW77N65M5

功能描述:  STMicroelectronics/分立半导体产品

制造商:  STMicroelectronics

其它有关文件：  STW77N65M5 View All Specifications

产品培训模块：  5th Generation High Voltage Mosfet Technology

特色产品：  MDmesh V Series Mosfets

标准包装：  30

类别：  分立半导体产品

家庭：  FET - 单

系列：  MDmesh? V

包装：  管件

FET 类型：  MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：  标准

漏源极电压（Vdss）：  650V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：  69A（Tc）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：  38 毫欧 @ 34.5A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：  5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：  200nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：  9800pF @ 100V

功率 - 最大值：  400W

安装类型：  通孔

封装/外壳：  TO-247-3

供应商器件封装：  TO-247-3

其它名称：  497-10589-5STW77N65M5-ND