型号: STWA70N60DM2
功能描述: MOSFET
制造商: STMicroelectronics
制造商: STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 600 V
Id-连续漏极电流: 66 A
Rds On-漏源导通电阻: 37 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
Vgs - 栅极-源极电压: 25 V
Qg-栅极电荷: 120 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 446 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
系列: STWA70N60DM2
晶体管类型: 1 N-Channel
商标: STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值: -
下降时间: 10.4 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 67 ns
工厂包装数量: 600
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 112 ns
典型接通延迟时间: 32 ns
联系人:曾小姐
联系人:Alien
联系人:蔡小姐
电话:18129819897
联系人:陈敏
电话:17302670049
联系人:陈欣
电话:13725554160
联系人:樊勉
电话:17621743344
联系人:连
电话:18922805453
联系人:林小姐
电话:13554783822
联系人:杜小姐
电话:13715109526
联系人:吴小姐
电话:18718561290