型号: STY60NM60
功能描述: MOSFET N-Ch 600 Volt 60 Amp
制造商: STMicroelectronics
制造商: STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: Max247-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 600 V
Id-连续漏极电流: 60 A
Rds On-漏源导通电阻: 50 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 30 V
最小工作温度: - 65 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 560 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商标名: MDmesh
封装: Tube
高度: 20.3 mm
长度: 15.9 mm
系列: STY60NM60
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: MOSFET
宽度: 5.3 mm
商标: STMicroelectronics
下降时间: 76 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 95 ns
工厂包装数量: 600
子类别: MOSFETs
典型接通延迟时间: 55 ns
单位重量: 38 g
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