型号: SUB70N04-10-E3
功能描述:
制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
晶体管极性: N-Channel
汲极/源极击穿电压: 40 V
闸/源击穿电压: +/- 20 V
漏极连续电流: 70 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）: 10 mOhms
配置: Single
最大工作温度: + 175 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-263-3
封装: Tube
下降时间: 30 ns
最小工作温度: - 55 C
功率耗散: 107 W
上升时间: 12 ns
工厂包装数量: 800
商标名: TrenchFET
典型关闭延迟时间: 58 ns
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：彭小姐
电话：135-7521-2775-------Q-微-恭-候-----有-问-秒-回
Q Q:
联系人：柯小姐
电话：13510157626
Q Q:
联系人：韩雪
电话：18124047120
Q Q:
联系人：蔡泽锋
电话：13360526935
Q Q:
联系人：周
电话：15889597042
Q Q:
联系人：蔡经理，张小姐
电话：13378422395
Q Q:
联系人：陈坤松
电话：18898834219
Q Q:
联系人：康R
电话：13530003715
Q Q:
联系人：张永康
电话：18537246132
Q Q:
