型号: SUB85N10-10T4
功能描述: Trans MOSFET N-CH 100V 85A 3-Pin(2+Tab) TO-263 T/R
制造商: vishay / siliconix
包装： 3TO-263
通道模式： Enhancement
最大漏源电压： 100 V
最大连续漏极电流： 85 A
RDS -于： 10.5@10V mOhm
最大门源电压： ±20 V
典型导通延迟时间： 12 ns
典型上升时间： 90 ns
典型关闭延迟时间： 55 ns
典型下降时间： 130 ns
工作温度： -55 to 175 °C
安装： Surface Mount
标准包装： Rail / Tube
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