型号: SUD19P06-60-E3
功能描述: Single P-Channel 60 V 0.06 Ohms Surface Mount Power Mosfet - TO-252
制造商: Vishay
系列： TrenchFET®
FET类型： P 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
电流-连续漏极（Id）（25°C时）： 18.3A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）： 4.5V，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）： 3V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 40nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）： 1710pF @ 25V
Vgs（最大值）： ±20V
功率耗散（最大值）： 2.3W（Ta），38.5W（Tc）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）： 60 毫欧 @ 10A，10V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
封装形式Package： DPAK
极性Polarity： P-CH
漏源极击穿电压VDSS： 60V
连续漏极电流ID： 18.3A
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：董先生
电话：19924492152
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：陈敏
电话：17302670049
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：13926529829
Q Q:
联系人：朱小姐
电话：13725570869
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：龚先生
电话：13510177715
Q Q:
联系人：庄文杰
电话：13723754706
Q Q:
联系人：刘清影
电话：18924630310
Q Q:
